1- Güneş Pilleri ve Gelişmekte Olan Yarıiletken Teknolojisi
KARABULUT ABDULKERİM,BALKİ MUSTAFA KEMAL,KUTUCU MURAT BUĞRA 12.05.2017, Yayın Yeri:2. Uluslararası Mühendislik Mimarlık ve Tasarım Kongresi Uluslararası Özet bildiri

2- Süperkapasitörlerin Elektrokimyasal Test Tekniklerinin Karşılaştırılması
yumak serap,Şekerli deniz,Özşanlı Mustafa,KARABULUT ABDULKERİM,YUMAK TUĞRUL 11.06.2019, Yayın Yeri:8th International Vocational Schools Symposium (UMYOS’19) Uluslararası Tam metin bildiri

3- Atık Biyokütlelerden Yüksek Yüzey Alanına Sahip Aktif Karbon Üretimi
şekerli deniz,yumak serap,özşanlı mustafa,KARABULUT ABDULKERİM,YUMAK TUĞRUL 11.06.2019, Yayın Yeri:8th International Vocational Schools Symposium (UMYOS’19) Uluslararası Tam metin bildiri

4- Capacitance-Voltage Characteristics of Au/Ti/HfO2 (3, 5 and 10 nm thick)/n-GaAs MIS Structures
KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 15.09.2018, Yayın Yeri:5th Internatıonal conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2018) Uluslararası Özet bildiri

5- Alternatif yakıtlara uyumlu yakıt enjeksiyon sisteminin geliştirilmesi
BALKİ MUSTAFA KEMAL,SARIKAYA MURAT,KARABULUT ABDULKERİM,DURAN İSMAİL UMUT,ÇAVUŞ VOLKAN,erdoğan S,SAYIN CENK 11.06.2019, Yayın Yeri:8th International Vocational Schools Symposium (UMYOS’19) Uluslararası Özet bildiri

6- The Effects of Radiation on Metal-Semiconductor Contacs
KARABULUT ABDULKERİM,HAN İBRAHİM 04.09.2018, Yayın Yeri:II. International Congress on New Trends in Science, Engineering and Technology Uluslararası Özet bildiri

7- Measurement of electromagnetic pollution in Sinop
KARABULUT ABDULKERİM,polat bükeyhan 18.04.2017, Yayın Yeri:INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL AND APPLIED SCIENCES (ICANAS 2017) Uluslararası Tam metin bildiri

8- The Current/Capacitance-Voltage Characteristics of Ni/n-GaP/Al Schottky Diode
KARABULUT ABDULKERİM 28.08.2018, Yayın Yeri:2nd International Congress On Semiconductor Materials and Devices Uluslararası Özet bildiri

9- Capacitance/Conductance-Voltage Characteristics of SiC-BasedMIS Diode with Oxide Interfacial Layer
KARABULUT ABDULKERİM 09.05.2018, Yayın Yeri:3rd INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN NATURAL AND APPLIED SCIENCES (ICANAS 2018) Uluslararası Özet bildiri

10- The Electrical Properties of Atomic Layer Deposited Ultra Thin HfO 2 Interfacial Layer Grown on GaAs based MIS Structures Over a Wide Measurement Temperature
KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT,BIYIKLI NECMİ 25.02.2016, Yayın Yeri:IPCAP 2016 – INTERNATIONAL PHYSICS CONFERENCE AT THE ANATOLIAN PEAK Uluslararası Özet bildiri

11- The Electrical and Dielectric Properties of Au/Ti/HfO2/n-GaAs Structures in Wide Temperature Range
KARATAŞ ŞÜKRÜ,KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 28.06.2017, Yayın Yeri:4th Internatıonal conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2017) Uluslararası Tam metin bildiri

12- Investigation Of Sputtered Mo 6H SiC Schottky Diode Due To The Barrier Height And Ideality Factor
EJDERHA KADİR,KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 02.09.2013, Yayın Yeri:Turkish Physical Society 30th International Physical Congress, 2013 Uluslararası Özet bildiri

13- SOME ELECTRİCAL CHARACTERISTICS OF GaAs BASED MIS STRUCTURES WITH ATOMIC LAYER DEPOSITED THIN HFO2 INTERFACIAL LAYER
KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 20.10.2016, Yayın Yeri:3th International Nanoscience and Nanotechnolgy for Next Generation (NanoNG’16) Uluslararası Poster

14- Current Capacitance Voltage Characteristics for The Au Ti Al2O3 n GaAs Structure in 20 300 K Range
KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT,EFEOĞLU HASAN,BIYIKLI NECMİ 11.05.2015, Yayın Yeri:International Semiconductor Science&Technology Conference Uluslararası Poster

15- Atomic Layer Deposited Ultra Thin HfO2 Interfacial Layer Grown on GaAs based MIS Structure in 60 400 K Temperature Range
KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT,BIYIKLI NECMİ 29.10.2015, Yayın Yeri:2nd International Nanoscience and Nanotechnolgy for Next Generation Conference (NaNoNG) 2015 Uluslararası Poster

16- Examination Of Ni n SiC Ni Schottky Diodes By Magnetron Dc Sputter Technique
EJDERHA KADİR,ORAK İKRAM,KARABULUT ABDULKERİM 05.09.2012, Yayın Yeri:Turkish Physical Society 29th International Physical Congress Uluslararası Poster

17- The Effect Of Ultra Thin Al2O3 Interfacial Layer Grown By Atomic Layer Deosition on GaAs based Schottky Barrier Diode Characteristics
KARABULUT ABDULKERİM,Ali Haider,EJDERHA KADİR,Noyan Mehmet Alican,Çağla Özgit Akgün,GÜZELDİR BETÜL,BIYIKLI NECMİ,TURUT ABDULMECİT 24.06.2013, Yayın Yeri:9th Nanoscience and Nanothecnology Conference Uluslararası Poster

18- Homogenous Barrier Height Work on Ni EPI n Si structure
EJDERHA KADİR,KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 13.01.2014, Yayın Yeri:International Semiconductor Science and Technology Conference Uluslararası Poster

19- Photovoltaic Properties Of Al n type Si Schottky Diodes
ORAK İKRAM,EJDERHA KADİR,KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 02.09.2013, Yayın Yeri:Turkish Physical Society 30th International Physical Congress Uluslararası Poster

20- The Electrical and Photovoltaic Effect of Co n GaP Schottky Diode
ORAK İKRAM,EJDERHA KADİR,YILDIRIM NEZİR,KARABULUT ABDULKERİM,TURUT ABDULMECİT 13.01.2014, Yayın Yeri:International Semiconductor Science and Technology Conference Uluslararası Poster

21- Illumination Impact On The Electrical Characteristics of Sputtered Au Ti Al2O3 n GaAs Schottky Diodes With Atomic Layer Deposited Al2O3 Interfacial Layer
KARABULUT ABDULKERİM,EJDERHA KADİR,Ali Haider,BIYIKLI NECMİ,TURUT ABDULMECİT 13.01.2014, Yayın Yeri:International Semiconductor Science and Technology Conference Uluslararası Poster